专利名称 

基于紫外宽光谱自成像制备二维周期阵列的光刻方法及装置

申请号 

201510770348.3

专利类型 

发明专利

申请日 

2015-11-12

授权日 

2017-06-30

公开号

105259739B

分类号

 G03F7/20(2006.01)I

发明人 

 邓茜、刘俊伯、姚靖威、程依光、司新春、邓钦元、周毅、赵立新、胡松

专利权人 

中国科学院光电技术研究所 

摘要 

    本发明公开了一种基于紫外宽光谱自成像制备二维周期阵列的光刻方法及其装置，其特点是，当采用非单色紫外宽光谱照明周期掩模时，不同光谱和级次的自成像光场分布相互交错叠加，在掩模后一定距离范围内可形成连续可成像区域。本发明利用紫外宽光谱自成像的可成像焦深范围大，给出了制备二维周期阵列的光刻的具体步骤及其装置。采用紫外宽光谱自成像光刻术制作周期阵列结构大大降低了对硅片形貌、定位精度的要求。本发明将为大面积、高精度、图案复杂化的周期性微纳结构加工提供一条更为便捷高效的新途径。