专利名称 

一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统

申请号 

201510758399.4

专利类型 

发明专利

申请日 

2015-11-10

授权日 

2017-07-11

公开号

105242500B

分类号

 G03F7/20(2006.01)

发明人 

 姚靖威、刘俊伯、邓茜、程依光、司新春、邓钦元、周毅、赵立新、胡松

专利权人 

中国科学院光电技术研究所 

摘要 

    本发明涉及一种基于紫外宽光谱泰伯自成像的光刻系统，该系统主要利用光学泰伯效应自成像原理，采用非单色紫外光照明周期掩膜时，不同光谱、不同级次的自成像光场相互交错、非相干叠加，在掩膜下方一定后方距离形成连续可成像区域。本发明相比于单波长照明的自成像光刻系统，紫外宽光谱自成像的可成像区域可以拓展至数毫米，甚至厘米量级。将硅片置于连续可成像区域的任意位置时，均可获得强度近似相等的自成像和相移自成像光场分布，从而实现周期倍频，提高了制作周期微纳结构的分辨力。同时，该原理制作周期型微纳结构时，不需要复杂的光学透镜系统，大大降低了制作成本。