专利名称 

一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法

申请号 

201410479415.1

专利类型 

发明专利

申请日 

2014-09-19

授权日 

2017-02-15

公开号

104198164B

分类号

 G01M11/02(2006.01)I

发明人 

 朱咸昌、胡松、赵立新

专利权人 

中国科学院光电技术研究所 

摘要 

    本发明涉及一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法，其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置，完成硅片的高精度调平和调焦。利用微透镜阵列对携带有硅片位置信息的波前进行检测，根据哈特曼波前检测原理，微透镜阵列的各个子单元将球面波波前分割，并成像于各自的焦面上。当硅片位于焦面位置时，微透镜阵列入射波前为平面波，衍射光斑位于微透镜阵列各个子单元的焦点上；当硅片存在离焦时，微透镜阵列入射波前为球面波，衍射光斑在微透镜阵列焦面上产生偏移。根据哈特曼波前检测原理，通过微透镜阵列对平面和球面波前成像光斑偏移，即可完成球面波前检测，从而完成硅片离焦测量。该检焦系统结构简单、精度和效率较高，适用于各类光刻机的高精度、实时性检焦测量。