专利名称 

一种基于光栅泰伯效应的检焦方法

申请号 

201410500277.0

专利类型 

发明专利

申请日 

2014-09-25

授权日 

2016-08-17

公开号

104238284B

分类号

G03F7/20(2006.01)I

发明人 

朱咸昌、胡松、赵立新

专利权人 

中国科学院光电技术研究所 

摘要 

    本发明涉及一种基于光栅泰伯效应的检焦方法，其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置，完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统利用硅片离焦引起的光栅泰伯效应的“自成像”位相变化，完成光刻机硅片的高精度检焦：硅片位于焦面位置时，光栅成像波前为平面波前；硅片离焦时，其成像波前为球面波前。该检测系统结构简单，具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性。