专利名称 

一种基于SOI和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法

申请号 

201210027790.3

专利类型 

发明专利

申请日 

2012-02-07

授权日 

2014-09-10

公开号

102560565B

分类号

C25D1/04(2006.01)I

发明人 

潘丽、岳衢、胡承刚、张铁军、李飞、罗先刚、邱传凯、周崇喜

专利权人

中国科学院光电技术研究所 

摘要 

 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充，其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在SOI下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在SOI的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的SOI器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。