专利名称

一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法

申请号

201210026732.9

专利类型 

发明专利

申请日 

2012-02-07

授权日 

2014-08-27

公开号

102556950A

分类号

B81C1/00(2006.01)I H01Q15/00(2006.01)I

发明人

邱传凯、胡承刚、岳衢、张铁军、李国俊、罗先刚、潘丽、李飞

专利权人

中国科学院光电技术研究所 

摘要 

本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。